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半導體

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電機驅(qū)動SJ-IGBT

電機驅(qū)動SJ-IGBT

電機驅(qū)動SJ-IGBT

隨著工業(yè)自動化和生活智能化的發(fā)展，電機的應(yīng)用越來越多，因電機種類不同，IGBT和MOS均有應(yīng)用。電機驅(qū)動SJ-IGBT型號推薦 SIF30N60G2、SIW75N60G2、SIW75N60GIH

電力電源SJ-MOS

電力電源SJ-MOS

電力電源SJ-MOS

MOS器件廣泛應(yīng)用于電力電源領(lǐng)域，如儲能、斷路器、滅弧及拓撲識別。我們的高壓SJ-MOS，采用創(chuàng)新的多層外延工藝，具備高頻開關(guān)、超低內(nèi)阻、卓越可靠性及強大抗浪涌能力，完美契合電力電子對功率器件高耐用性與高效率的嚴苛要求。電力電源SJ-MOS型號推薦SSF80R240S2、SSF80R240S、SSF80R380S2、SSW90R160S2、SSF90R420S2、SSF

鋰電充電SJ-MOS

鋰電充電SJ-MOS

鋰電充電SJ-MOS

在鋰電池應(yīng)用場景不斷拓展的當下，市場對鋰電池充電器的充電效率、體積和安全性提出了更高要求。我們的高壓 SJ-MOS 憑借多層外延工藝這一核心技術(shù)，實現(xiàn)了三大突破：高頻開關(guān)設(shè)計大幅提升充電效率；強抗干擾能力保障充電安全穩(wěn)定；更能縮小系統(tǒng)變壓器體積，進而使整機小型化，同時降低系統(tǒng)成本，完美匹配行業(yè)升級需求。鋰電

工業(yè)電源SJ-MOS、SiC碳化硅

工業(yè)電源SJ-MOS、SiC碳化硅

工業(yè)電源SJ-MOS、SiC碳化硅

數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化設(shè)備等對電力穩(wěn)定性要求極高的場景中，PFC 拓撲的應(yīng)用愈發(fā)廣泛。但在這些場景下，PFC 拓撲對 MOS 管提出了近乎苛刻的要求：既要維持溫升可控、效率領(lǐng)先、系統(tǒng)穩(wěn)定，又要承受啟動時巨大的沖擊電流，尤其是設(shè)備頻繁重啟時，電流沖擊會對 MOS 管造成持續(xù)損耗。這使得應(yīng)用于 PFC 電路的 MOS 管，必須具備出

UPS電源SJ-MOS

UPS電源SJ-MOS

UPS電源SJ-MOS

在數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動化等不容斷電的場景中，不間斷電源（UPS）是穩(wěn)定運行的基石。正常供電時，它默默穩(wěn)壓供電、為電池蓄能；當意外斷電突襲，毫秒級切換至電池逆變供電，持續(xù)輸出 220V/380V 穩(wěn)定電力。適配 UPS 電源的我司高壓 SJ-MOS，經(jīng)多層外延工藝淬煉，具備抗浪涌、低干擾特性，全方位提升供電系統(tǒng)可靠性。

充電樁SJ-MOS、SiC碳化硅

充電樁SJ-MOS、SiC碳化硅

充電樁SJ-MOS、SiC碳化硅

在追求極致充電體驗的當下，充電樁既要快又要穩(wěn)，更要兼顧成本。我們推出的 SJ-MOS 與 SiC 二極管組合，正是破解這一難題的關(guān)鍵。SJ-MOS 以多層外延工藝和優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，帶來遠超行業(yè)標準的可靠性與一致性；SiC 二極管則以 “雙低一強”（低導通損耗、低開關(guān)損耗、強抗雷擊浪涌）的卓越性能，為充電樁注入澎湃動力。二者組合

車載OBC SJ-MOS、SiC碳化硅

車載OBC SJ-MOS、SiC碳化硅

車載OBC SJ-MOS、SiC碳化硅

新能源汽車停車充電時，車載 OBC 作為核心組件，將交流電網(wǎng)電能轉(zhuǎn)化為適配高壓電池的 200V-450V 直流電壓。我司高壓 SJ-MOS 基于多層外延工藝打造，實測開關(guān)頻率較傳統(tǒng)產(chǎn)品提升 30%，抗浪涌能力增強 40%，以卓越的性能參數(shù)完美適配 PFC 端應(yīng)用，為新能源汽車充電系統(tǒng)的高效運行與安全防護提供可靠技術(shù)支撐。車載OBC SJ-MOS型

光伏逆變SJ-MOS、SiC碳化硅

光伏逆變SJ-MOS、SiC碳化硅

光伏逆變SJ-MOS、SiC碳化硅

太陽能微逆變器可實現(xiàn)單個 400W 光伏電池板的電源轉(zhuǎn)換，多板協(xié)同下額定功率可達 1.5KW。自歐洲能源危機爆發(fā)，其需求呈爆發(fā)式增長，熱度居高不下。我們的 800V 高壓 SJ-MOS，依托多層外延工藝，經(jīng)嚴苛測試驗證，在可靠性與一致性方面表現(xiàn)遠超行業(yè)標準，能夠完美滿足各類設(shè)計需求，是提升太陽能微逆變器性能的理想選擇。

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT絕緣柵雙極型晶體管

IGBT產(chǎn)品具有較大的飽和電流和良好的導通損耗/開關(guān)損耗折中特性，廣泛應(yīng)用于電動汽車充電、家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS等領(lǐng)域

元件防護解決方案

元件防護解決方案

元件防護解決方案

凱泰電子提供專業(yè)的防護元件及創(chuàng)新解決方案，產(chǎn)品包括陶瓷氣體放電管（GDT）、瞬態(tài)抑制二極管（TVS）、半導體放電管（TSS）、靜電保護器件（ESD）、穩(wěn)壓管（Zener）、壓敏電阻（MOV）、可控硅（SCR）、復合器件（Hybrid deivce）等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通訊、安防、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、汽車、新能源等行業(yè)。

氮化鎵（GaN）

氮化鎵（GaN）

氮化鎵（GaN）

氮化鎵芯片具有高頻特性優(yōu)異、高功率密度、低損耗、高溫工作能力強、易于集成、應(yīng)用范圍廣等優(yōu)勢，在高頻通信、功率電子、消費電子、新能源汽車、航空航天等諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ壳耙裁媾R制造成本較高、技術(shù)難度較大等挑戰(zhàn)。

碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）

SiC碳化硅二極管具有電氣性能優(yōu)異（高擊穿電壓、低導通損耗、極小反向恢復電流）、熱性能良好（高熱導率、高工作溫度）、物理特性獨特（小尺寸、高抗輻射能力）、正溫度系數(shù)利于并聯(lián)以及良好頻率特性等優(yōu)勢

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