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氮化鎵 碳化硅 IGBT
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IGBT絕緣柵雙極型晶體管
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IGBT產品具有較大的飽和電流和良好的導通損耗/開關損耗折中特性，廣泛應用于電動汽車充電、家用電器驅動、計算機電源、UPS等領域
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氮化鎵（GaN）
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氮化鎵芯片具有高頻特性優異、高功率密度、低損耗、高溫工作能力強、易于集成、應用范圍廣等優勢，在高頻通信、功率電子、消費電子、新能源汽車、航空航天等諸多領域具有重要的應用前景和巨大的發展潛力，但目前也面臨制造成本較高、技術難度較大等挑戰。
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碳化硅（SiC）
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SiC碳化硅二極管具有電氣性能優異（高擊穿電壓、低導通損耗、極小反向恢復電流）、熱性能良好（高熱導率、高工作溫度）、物理特性獨特（小尺寸、高抗輻射能力）、正溫度系數利于并聯以及良好頻率特性等優勢
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